晶圓切割的主要目標(biāo)之一是從每片晶圓中獲得高產(chǎn)量的、功能完整且無損的芯片。產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)，因?yàn)樗苯佑绊戨娮悠骷a(chǎn)的成本和效率。更高的產(chǎn)量意味著每個(gè)芯片的成本更造能力更大，制造商更能滿足不斷增長的電子器件需求。晶圓切割直接影響到包含這些分離芯片的電子器件的整體性能。切割過程的精度和準(zhǔn)確性需要確保每個(gè)芯片按照設(shè)計(jì)規(guī)格分離，尺寸和對(duì)準(zhǔn)的變化小。這種精度對(duì)于在終設(shè)備中實(shí)現(xiàn)比較好電氣性能、熱管理和機(jī)械穩(wěn)定性至關(guān)重要。超窄街切割方案中清航科實(shí)現(xiàn)30μm道寬，芯片數(shù)量提升18%。連云港碳化硅線晶圓切割

隨著半導(dǎo)體市場需求的快速變化，產(chǎn)品迭代周期不斷縮短，這對(duì)晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團(tuán)隊(duì)，承諾在收到客戶新樣品后72小時(shí)內(nèi)完成切割工藝驗(yàn)證，并提供工藝報(bào)告與樣品測試數(shù)據(jù)，幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程，搶占市場先機(jī)。晶圓切割設(shè)備的操作安全性至關(guān)重要，中清航科嚴(yán)格遵循SEMIS2安全標(biāo)準(zhǔn)，在設(shè)備設(shè)計(jì)中融入多重安全保護(hù)機(jī)制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護(hù)門檢測、過載保護(hù)等，同時(shí)配備安全警示系統(tǒng)，實(shí)時(shí)顯示設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與潛在風(fēng)險(xiǎn)，確保操作人員的人身安全與設(shè)備的安全運(yùn)行。臺(tái)州芯片晶圓切割劃片廠晶圓切割后清洗設(shè)備中清航科專利設(shè)計(jì)，殘留顆粒＜5個(gè)/片。

大規(guī)模量產(chǎn)場景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動(dòng)切割生產(chǎn)線，集成自動(dòng)上下料、在線檢測與NG品分揀功能，單臺(tái)設(shè)備每小時(shí)可處理30片12英寸晶圓，且通過工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控，設(shè)備綜合效率（OEE）提升至90%以上，明顯降低人工干預(yù)帶來的質(zhì)量波動(dòng)。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至50-100μm，切割過程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù)，通過局部深冷處理增強(qiáng)晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺(tái)，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于20μm，為先進(jìn)封裝工藝提供可靠的晶圓預(yù)處理保障。

通過拉曼光譜掃描切割道，中清航科提供殘余應(yīng)力分布云圖（分辨率5μm），并推薦退火工藝參數(shù)。幫助客戶將芯片翹曲風(fēng)險(xiǎn)降低70%，服務(wù)已用于10家頭部IDM企業(yè)。中清航科技術(shù)結(jié)合機(jī)械切割速度與激光切割精度：對(duì)硬質(zhì)區(qū)采用刀切，對(duì)脆弱區(qū)域切換激光加工。動(dòng)態(tài)切換時(shí)間<0.1秒，兼容復(fù)雜芯片結(jié)構(gòu)，加工成本降低28%。舊設(shè)備切割精度不足？中清航科提供主軸/視覺/控制系統(tǒng)三大模塊升級(jí)包。更換高剛性主軸（跳動(dòng)<0.5μm）+12MP智能相機(jī)，精度從±10μm提升至±2μm，改造成本只為新機(jī)30%。晶圓切割培訓(xùn)課程中清航科每月開放，已認(rèn)證工程師超800名。

晶圓切割/裂片是芯片制造過程中的重要工序，屬于先進(jìn)封裝(advancedpackaging)的后端工藝(back-end)之一，該工序可以將晶圓分割成單個(gè)芯片，用于隨后的芯片鍵合。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)高性能和更小型電子器件的需求增加，晶圓切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圓切割的重要性在于它能夠在不損壞嵌入其中的精細(xì)結(jié)構(gòu)和電路的情況下分離單個(gè)芯片，成功與否取決于分離出來的芯片的質(zhì)量和產(chǎn)量，以及整個(gè)過程的效率。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，目前已經(jīng)開發(fā)了多種切割技術(shù)，每種技術(shù)都有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng)，潔凈度達(dá)標(biāo)Class1。金華碳化硅陶瓷晶圓切割劃片廠

中清航科切割實(shí)驗(yàn)室開放合作，已助力30家企業(yè)工藝升級(jí)。連云港碳化硅線晶圓切割

為滿足半導(dǎo)體行業(yè)的快速交付需求，中清航科建立了高效的設(shè)備生產(chǎn)與交付體系。采用柔性化生產(chǎn)模式，標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)切割設(shè)備可實(shí)現(xiàn)7天內(nèi)快速發(fā)貨，定制化設(shè)備交付周期控制在30天以內(nèi)。同時(shí)提供門到門安裝調(diào)試服務(wù)，配備專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)全程跟進(jìn)，確保設(shè)備快速投產(chǎn)。在晶圓切割的工藝參數(shù)優(yōu)化方面，中清航科引入實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)（DOE）方法。通過多因素正交試驗(yàn)，系統(tǒng)分析激光功率、切割速度、焦點(diǎn)位置等參數(shù)對(duì)切割質(zhì)量的影響，建立參數(shù)優(yōu)化模型，可在20組實(shí)驗(yàn)內(nèi)找到比較好工藝組合，較傳統(tǒng)試錯(cuò)法減少60%的實(shí)驗(yàn)次數(shù)，加速新工藝開發(fā)進(jìn)程。連云港碳化硅線晶圓切割